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三綜合試驗(yàn)箱設(shè)備性能介紹


?三綜合試驗(yàn)箱設(shè)備性能介紹

.1.1、動(dòng)圈 

振動(dòng)臺(tái)配備鑄造和手動(dòng)加工的動(dòng)圈,光電氣動(dòng)負(fù)載支持系統(tǒng)和雙軸承軸向?qū)颉kp軸承導(dǎo)向是一個(gè)獨(dú)特的功能,在振動(dòng)試驗(yàn)過(guò)程中,有助于減少軸向的動(dòng)態(tài)交叉和轉(zhuǎn)動(dòng),具有優(yōu)越的耐用性。

7.1.2 、勵(lì)磁線圈

采用雙磁路結(jié)構(gòu)、漏磁低,磁場(chǎng)均勻

7.1.3 、臺(tái)體表面

采用先進(jìn)的磷化處理及汽車(chē)烤漆技術(shù),具有長(zhǎng)期防磨防銹作用。

7.1.4 、臺(tái)體制冷: 

采用低噪音風(fēng)機(jī)、改進(jìn)臺(tái)體進(jìn)風(fēng)結(jié)構(gòu),勵(lì)磁線圈采用蜂窩式風(fēng)道、中磁環(huán)采用雙層分流式風(fēng)道等,采用了新型的風(fēng)道設(shè)計(jì),增強(qiáng)冷卻效果。

7.2 SA 數(shù)字開(kāi)關(guān)功率放大器 

SA 系列數(shù)字開(kāi)關(guān)功率放大器采用性能可靠的 MOSFET  IGBT 技術(shù), a.具有高穩(wěn)定性及可靠性

b. 符合歐盟“CE”標(biāo)準(zhǔn)要求

c. 采用正弦倍頻脈寬調(diào)制技術(shù),功率放大器信噪比高。d.采用開(kāi)關(guān)電源的工作原理,轉(zhuǎn)換效率高。

e.采用電子自動(dòng)均流技術(shù)f.安全性能好。

7.3 、伺服保護(hù)系統(tǒng)

保護(hù)功能齊全,具有電網(wǎng)過(guò)壓、欠壓、缺相、邏輯故障、功率模塊直通、過(guò)溫、輸出過(guò)電流、輸出過(guò)電壓、驅(qū)動(dòng)電源、臺(tái)體過(guò)位移、臺(tái)體溫度、外部連鎖等

7.4 、垂直擴(kuò)展平臺(tái) 

擴(kuò)展平臺(tái)通常用來(lái)作為更大的安裝試件的平臺(tái),可以是方形或者圓形或者用戶(hù)自定義。為了減少擴(kuò)展平臺(tái)的動(dòng)態(tài)特性影響,所有的擴(kuò)展平臺(tái)必須通過(guò)建模分析其模態(tài)頻率,這些擴(kuò)展平臺(tái)一般由鎂合金鑄造而成且附著阻尼材料

7.5 、光電自動(dòng)對(duì)中系統(tǒng)

自動(dòng)調(diào)整動(dòng)圈位置,使之保持在平衡狀態(tài)。自動(dòng)對(duì)中系統(tǒng)確保動(dòng)圈在加載和卸載過(guò)程始終處于中心位置。

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